STARTSEITE
Aktuelles
Was ist Nanotechnologie?
Studium
Nano in Linz
Nanoverbundprojekt NSI
SFB IRoN
Galerie
Publikationen
Links
Kontakt
Impressum
|
Bilder einer annealten Si-Wire Probe, die in situ mit Ge bedeckt wurde.
(a) Die dunkleren Gebiete kennzeichen Stellen, wo sich Löcher im SiO2 gebildet haben und das Ge dadurch poykristallin aufwuchs (p-Ge).
(b) TEM Bild in Hochauflösung. Die Oxidlöcher sind mit polykristalli nem Ge dekoriert, das dunkler erscheint als das amorphe Ge (a-Ge)
-
"Transient-enhanced Si diffusion on native-oxide-covered Si(001) nanostructure
s during vacuum annealing"
H. Lichtenberger, M. Mühlberger, F. Schäffler
Appl. Phys. Lett. 82 (21) 3650 (2003)
|
|
