Nanoscience.at - Si Homoepitaxie Wachstumsinstabilitäten

Galerie: Halbleiter- und Festkörperphysik
Si Homoepitaxie Wachstumsinstabilitäten

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Wachstumsinstabilität auf [110]-verkipptem (0.7) Silizium (100)
10x10 m² AFM Bild
Quelle ... Christoph Schelling

"Kinetic growth instabilities on vicinal Si(001) surfaces"
C. Schelling, G. Springholz, and F. Schäffler
Phys. Rev. Lett. 83, 995-998 (1999)